[发明专利]子像素阵列以及图像传感器有效
申请号: | 201910499536.5 | 申请日: | 2019-06-11 |
公开(公告)号: | CN111199988B | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
发明(设计)人: | 游腾健 | 申请(专利权)人: | 精準基因生物科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 罗英;臧建明 |
地址: | 中国台湾新北市淡*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提出一种子像素阵列以及图像传感器。子像素阵列包括感光层、第一介质层以及多个微透镜。感光层包括多个感测区域以及至少一电路布局区域。第一介质层形成在感光层上方。多个微透镜形成在第一介质层上方。这些微透镜在垂直方向上一对一地对应于这些感测区域。这些感测区域各别的第一掺杂区域在感光层中平行于所述至少一电路布局区域。这些感测区域的至少其中之一的第二掺杂区域的至少一部分在水平面上的投影重叠于第一掺杂区域以及所述至少一电路布局区域的至少一部分在水平面上的投影。因此,本发明的子像素阵列以及图像传感器可提供具有良好的布局架构效果。 | ||
搜索关键词: | 像素 阵列 以及 图像传感器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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