[发明专利]发光二极管结构有效
| 申请号： | 201910500322.5 | 申请日： | 2019-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN110858617B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 郭修邑 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管结构包含基底层、电性接触层、半导体叠层以及绝缘层。基底层具有最大第一宽度。电性接触层具有最大第二宽度并设置于基底层上。半导体叠层具有最大第三宽度并设置于电性接触层上。半导体叠层包括第一型半导体层、发光层及第二型半导体层依序堆叠，其中第一型半导体层、发光层及第二型半导体层的宽度实质上小于或等于最大第三宽度。绝缘层至少覆盖基底层的一侧壁、电性接触层的一侧壁及半导体叠层的一侧壁。最大第二宽度大于最大第三宽度，且最大第二宽度小于或等于最大第一宽度。此发光二极管结构可以提升出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
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