[发明专利]气敏型场效应晶体管装置和气敏型场效应晶体管装置阵列在审
| 申请号： | 201910500446.3 | 申请日： | 2019-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN110596202A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 余倩;阿民·伯马克;崔志英 | 申请（专利权）人： | 香港科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 11204 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王达佐;王艳春 |
| 地址： | 中国香港*** | 国省代码： | 中国香港;HK |
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| 摘要： | 本申请提供了气敏型场效应晶体管装置、气敏型场效应晶体管装置阵列及其制备方法。气敏型场效应晶体管装置可包括栅极、位于栅极上且具有一个或多个通孔的钝化层、浮置电极、感应材料层以及控制部件，其中浮置电极与栅极电学连接，并设置在钝化层中且浮置电极的至少一部分通过通孔暴露，感应材料层直接位于浮置电极的至少一部分上，控制部件被配置为控制浮置电极控制部件的工作点。根据本申请提供的气敏型场效应晶体管装置阵列能够控制工作点，并具有动态亚阈值电流读出能力，从而能够显著降低阵列的功耗，并能够提高室温下的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 浮置电极 场效应晶体管装置 气敏型 控制部件 感应材料 钝化层 通孔 控制工作点 亚阈值电流 电学连接 工作点 灵敏度 功耗 读出 申请 制备 暴露 配置 | ||
【主权项】：
1.一种气敏型场效应晶体管装置，包括：/n栅极；/n钝化层，位于所述栅极上且具有一个或多个通孔；/n浮置电极，与所述栅极电学连接，所述浮置电极被设置在所述钝化层中并且所述浮置电极的至少一部分通过所述通孔暴露；/n感应材料层，直接位于所述浮置电极的至少一部分上；以及/n控制部件，所述控制部件被配置为控制所述浮置电极的工作点。/n
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