[发明专利]高K金属栅极制程的金属-绝缘体-多晶硅电容器及制造方法在审
| 申请号： | 201910500829.0 | 申请日： | 2019-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN110718539A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 蔡新树;陈学深;陈元文;岑柏湛 | 申请（专利权）人： | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L23/522 |
| 代理公司： | 11314 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 新加*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及高K金属栅极制程的金属‑绝缘体‑多晶硅电容器及制造方法，提供一种在高k金属栅极(HKMG)制程中形成的具有金属‑绝缘体‑多晶硅(MIP)电容器的集成电路的形成方法以及该生成的装置。实施例包含装置，该装置包含金属栅极、环绕该金属栅极的侧壁而形成的高k介电层、以及邻近该高k介电层的至少一部分的虚设多晶硅栅极。该装置也包含电容器，该电容器包含作为绝缘体的该高k层，其中，该绝缘体是在作为一个电极的虚设物与作为另一个电极的该金属栅极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 金属栅极 绝缘体 电容器 高k介电层 电极 制程 虚设 多晶硅电容器 金属 多晶硅栅极 多晶硅 高k层 侧壁 集成电路 环绕 邻近 申请 制造 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包含：/n金属栅极；/n高k介电层，环绕该金属栅极的侧壁而形成；以及/n虚设多晶硅栅极，邻近该高k介电层的至少一部分。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新加坡商格罗方德半导体私人有限公司，未经新加坡商格罗方德半导体私人有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910500829.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件以及用于制造其的方法
- 下一篇：具有塑料波导的半导体封装
