[发明专利]基于systolic阵列的SCNN推理加速装置、处理器及计算机设备有效

专利信息
申请号: 201910500982.3 申请日: 2019-06-11
公开(公告)号: CN110348564B 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 王蕾;窦强;邓宇;郭莎莎;王树泉;杨智杰;李石明;聂子凯;康子扬;田烁;曲连华 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科技大学
主分类号: G06N3/04 分类号: G06N3/04;G06N3/063;G06N5/04
代理公司: 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 代理人: 谭武艺
地址: 410073 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种基于systolic阵列的SCNN推理加速装置、处理器及计算机设备,本发明的SCNN推理加速装置包括systolic阵列和后处理单元,systolic阵列包括脉冲缓存、权值缓存、systolic控制器、处理单元阵列,用于脉冲与权值点积,后处理单元包括膜电位更新与脉冲产生模块、脉冲累积与最大池化模块、结果缓存、后处理机制控制器。本发明能高效利用片上数据、减少片外访存压力,能够对SCNN卷积层、池化层推理过程进行加速,具有计算密度大、吞吐率高、支持流水并行的特点,能够减少不必要的片外数据搬移,最大限度的利用片上数据,实现对卷积层、池化层推理的硬件加速。
搜索关键词: 基于 systolic 阵列 scnn 推理 加速 装置 处理器 计算机 设备
【主权项】:
1.一种基于systolic阵列的SCNN推理加速装置,其特征在于,包括systolic阵列(1)和后处理单元(2),所述systolic阵列(1)包括:脉冲缓存(IB),用于输入脉冲缓存;权值缓存(WB),用于权值缓存;systolic控制器(systolic_ctrl),用于控制systolic阵列行为;处理单元阵列(PEs),用于脉冲与权值点积;所述后处理单元(2)包括:膜电位更新与脉冲产生模块(MU&SG),用于膜电位更新及脉冲产生;脉冲累积与最大池化模块(SA&MP),用于同一神经元的脉冲缓存以及池化操作;结果缓存(RB),用于结果脉冲缓存;后处理机制控制器(post_ctrl),用于控制后处理机制行为;所述systolic控制器(systolic_ctrl)的控制输出端分别与脉冲缓存(IB)、权值缓存(WB)以及处理单元阵列(PEs)相连,所述脉冲缓存(IB)、权值缓存(WB)的输出端分别与处理单元阵列(PEs)的输入端相连,所述处理单元阵列(PEs)的输出端与后处理单元(2)的输入端相连;所述膜电位更新与脉冲产生模块(MU&SG)、脉冲累积与最大池化模块(SA&MP)、结果缓存(RB)依次相连且其控制端均与后处理机制控制器(post_ctrl)相连,所述膜电位更新与脉冲产生模块(MU&SG)根据处理单元阵列(PEs)的输出结果进行膜电位更新及脉冲产生,所述脉冲累积与最大池化模块(SA&MP)对膜电位更新与脉冲产生模块(MU&SG)输出的同一神经元的脉冲缓存以及池化操作,所述结果缓存(RB)用于将脉冲累积与最大池化模块(SA&MP)的输出缓存输出。
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