[发明专利]一种钙钛矿红外光电晶体管及其制备方法

摘要

本发明实施例提供一种钙钛矿红外光电晶体管及其制备方法，包括：基础衬底；源漏金属电极沉积于基础衬底上表面；金属氧化物半导体薄膜和源漏金属电极在同一平面上；电荷传输界面层将图形化的有机无机杂化红外探测钙钛矿材料层与源漏金属电极、金属氧化物半导体薄膜分隔开；图形化的有机无机杂化红外探测钙钛矿材料层完全覆盖于电荷传输界面层上、位于金属氧化物半导体薄膜正上方，并且投影面积等于金属氧化物半导体薄膜；钝化层将所述电荷传输界面层、图形化的有机无机杂化红外探测钙钛矿材料层全部覆盖，投影面积等于基础衬底；疏水层薄膜覆盖除金属氧化物半导体薄膜外的所有钙钛矿红外光晶体导管器件部分。

主权项

1.一种钙钛矿红外光电晶体管，其特征在于，包括：基础衬底；源漏金属电极(4)沉积于基础衬底上表面；金属氧化物半导体薄膜(5)和源漏金属电极(4)在同一平面上，金属氧化物半导体薄膜(5)覆盖在源漏金属电极(4)沟道处或者将源漏金属电极(4)完全覆盖；电荷传输界面层(7)完全覆盖于金属氧化物半导体薄膜(5)上，电荷传输界面层(7)将图形化的有机无机杂化红外探测钙钛矿材料层(8)与源漏金属电极(4)、金属氧化物半导体薄膜(5)分隔开；图形化的有机无机杂化红外探测钙钛矿材料层(8)完全覆盖于电荷传输界面层(7)上、位于金属氧化物半导体薄膜(5)正上方，并且投影面积等于金属氧化物半导体薄膜(5)；钝化层(9)将所述电荷传输界面层(7)、图形化的有机无机杂化红外探测钙钛矿材料层(8)全部覆盖，投影面积等于基础衬底；疏水层薄膜(6)覆盖除金属氧化物半导体薄膜(5)外的所有钙钛矿红外光晶体导管器件部分。