[发明专利]一种单晶PERC电池正面多层镀膜制备方法在审
| 申请号： | 201910501482.1 | 申请日： | 2019-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN110331379A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 贾艳飞 | 申请（专利权）人： | 山西机电职业技术学院 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/34;C23C16/40;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 046000 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及单晶PERC电池正面多层镀膜领域。一种单晶PERC电池正面多层镀膜制备方法，在单晶PERC电池正面镀膜形成二氧化硅/氮化硅/氮化硅/氮氧化硅/二氧化硅结构，整体膜厚为80‑85纳米，折射率1.9‑2.03。通过增加二氧化硅和氮氧化硅膜层结构，增加正面的钝化效果，并增强不同波长的吸收，从而提高单晶PERC电池效率。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶 电池正面 多层镀膜 二氧化硅 氮化硅 制备 氮氧化硅膜层 二氧化硅结构 氮氧化硅 电池效率 钝化效果 折射率 整体膜 波长 镀膜 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种单晶PERC电池正面多层镀膜制备方法，其特征在于：在单晶PERC电池正面镀膜形成二氧化硅/氮化硅/氮化硅/氮氧化硅/二氧化硅结构，整体膜厚为80‑85纳米，折射率1.9‑2.03。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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