[发明专利]用于检测半导体装置中的缺陷的方法在审
| 申请号： | 201910501571.6 | 申请日： | 2019-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN110852983A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 许仁;朴民哲;李泰昊;郑椙旭;黄灿永 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G06T7/00 | 分类号： | G06T7/00;G06N3/04;G06K9/62 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;张川绪 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于检测半导体装置中的缺陷的方法包括：使用从第一数据集提取的采样的干净数据集对预训练卷积神经网络(CNN)模型进行预训练；使用第一数据集的第一数据和预训练CNN模型来训练正常CNN模型和标签噪声CNN模型。所述方法还包括：使用第二数据集的第二数据和正常CNN模型输出关于第二数据是好还是坏的第一预测结果；使用第二数据和标签噪声CNN模型输出关于第二数据是好还是坏的第二预测结果。将第一预测结果与第二预测结果进行比较，以在存在标签差异时执行噪声校正。将作为噪声校正的结果创建的第三数据添加到采样的干净数据集。使用添加了第三数据的采样的干净数据集对正常CNN模型和标签噪声CNN模型进行附加地训练。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 检测 半导体 装置 中的 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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