[发明专利]一种内柱外环式双区复合焊点结构和混合键合方法有效
| 申请号： | 201910502021.6 | 申请日： | 2019-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN110299338B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 李震;顾轶峰;简·史蒂芬·莫泰;龚里 | 申请（专利权）人： | 苏斯贸易（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/48;H01L21/603 |
| 代理公司： | 苏州中合知识产权代理事务所(普通合伙) 32266 | 代理人： | 刘召民 |
| 地址： | 200120 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种内柱外环式双区复合焊点结构，包括内核柱和外围环，所述内核柱采用可室温下冷焊的金属或金属体系，所述外围环采用高温焊料金属或金属体系，还公开一种基于上述焊点结构的混合键合方法，包括如下步骤：(1)提供具备内柱外环式双区复合焊点结构的晶圆(基板)；(2)将多个芯片通过常温/低温压合的方式逐一预键合到晶圆(基板)上；(3)将已预键合的多个芯片进行一次整体的热压键合。本发明彻底避免了常规多芯片到单一晶圆(基板)共晶键合工艺因反复加热而导致的键合失败，大大提高了工艺整体的效率，有效降低了芯片制备过程中的工艺难度，大大节约了工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 内柱 外环式双区 复合 结构 混合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种内柱外环式双区复合焊点结构，其特征在于，包括内核柱和外围环，所述内核柱采用可室温下冷焊的金属或金属体系，所述外围环采用高温焊料金属或金属体系。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏斯贸易（上海）有限公司，未经苏斯贸易（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910502021.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：焊接凸块、覆晶结构及其制备方法
- 下一篇：半导体装置
