[发明专利]测量形成在非导电区域中的孔的高度轮廓有效
| 申请号： | 201910502157.7 | 申请日： | 2019-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN110579189B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 康斯坦丁·奇科;奥里特·哈瓦阿蒙·赫什科维奇 | 申请（专利权）人： | 应用材料以色列公司 |
| 主分类号： | G01B15/04 | 分类号： | G01B15/04;G01B15/02;B82Y35/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于测量空穴的系统、计算机程序介质和方法。所述方法可以包括：对具有纳米宽度的空穴附近进行充电；获得所述空穴的多个电子图像；其中每个电子图像通过感测超过与所述电子图像相关联的电子能量阈值的电子能量的电子形成；其中与所述多个电子图像中的不同电子图像相关联的电子能量阈值彼此不同；接收或生成高度值与所述电子能量阈值之间的映射；处理所述多个电子图像以提供空穴测量；以及基于所述映射和所述空穴测量而生成所述空穴的三维测量。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 形成 导电 区域 中的 高度 轮廓 | ||
【主权项】：
1.一种测量具有纳米宽度的空穴的方法，所述方法包括：/n对所述空穴附近进行充电；/n通过带电粒子成像器获得所述空穴的多个电子图像，其中所述多个电子图像中的每个电子图像通过感测超过与所述电子图像相关联的电子能量阈值的电子能量的电子形成，并且其中与所述多个电子图像中的不同电子图像相关联的电子能量阈值彼此不同；/n接收或生成高度值与所述电子能量阈值之间的映射；/n处理所述多个电子图像以提供空穴测量；以及/n基于所述映射和所述空穴测量而生成所述空穴的三维测量。/n
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