[发明专利]一种在有机材料表面制备抗反射微纳结构的方法在审
| 申请号： | 201910504740.1 | 申请日： | 2019-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN110194436A | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 叶鑫;胡锡亨;邵婷;李青芝;唐烽;石兆华;夏汉定;孙来喜 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G02B1/11 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘潇 |
| 地址： | 621054*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及微纳结构制备技术领域，具体涉及一种在有机材料表面制备抗反射微纳结构的方法。本发明对有机材料进行反应离子刻蚀，形成抗反射微纳结构；其中，反应离子刻蚀所用刻蚀气体为氧气和惰性气体，氧气的流量为1～50SCCM，惰性气体的流量为1～100SCCM，且氧气和惰性气体的流量比为1：(1～10)；反应离子刻蚀的功率为10～250W。本发明基于干法刻蚀，没有额外采用任何掩模板，在对有机材料进行反应离子刻蚀过程中，通过控制氧气和惰性气体的流量、二者流量的比例关系以及反应离子刻蚀的功率，能够使有机材料表面产生再沉积物，再沉积物能够作为反应离子刻蚀的微掩模，从而在有机材料表面制备出抗反射微纳结构。 | ||
| 搜索关键词： | 反应离子刻蚀 微纳结构 有机材料表面 惰性气体 抗反射 氧气 制备 有机材料 再沉积物 制备技术领域 干法刻蚀 刻蚀气体 流量比 微掩模 掩模板 | ||
【主权项】：
1.一种在有机材料表面制备抗反射微纳结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：对有机材料进行反应离子刻蚀，在所述有机材料表面形成抗反射微纳结构；其中，所述反应离子刻蚀所采用的刻蚀气体为氧气和惰性气体，所述氧气的流量为1～50SCCM，惰性气体的流量为1～100SCCM，且所述氧气和惰性气体的流量比为1：(1～10)；所述反应离子刻蚀的功率为10～250W。
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