[发明专利]一种多数据格式高速并行NandFlash存储装置有效
申请号: | 201910504764.7 | 申请日: | 2019-06-12 |
公开(公告)号: | CN110413536B | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
发明(设计)人: | 王翠莲;叶志玲;沈小虎;顾明;李欣;牛跃华;李珂;裴楠;孙超;金海丁;雷英俊;刘胜男;刘瑞刚 | 申请(专利权)人: | 北京空间飞行器总体设计部 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 刘芳;郭德忠 |
地址: | 100094 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种多数据格式高速并行NandFlash存储装置,通过采用模块化的设计,针对不同数据格式的载荷数据建立载荷数据处理通道,并根据芯片的数量构建芯片控制通道,通过载荷数据处理通道内的存储页地址管理及索引模块与芯片控制通道内的优先级控制模块的索引控制实现了多种数据格式载荷数据的并行存储,提高了整个存储系统的存储速率,且具备良好的可扩展性。 | ||
搜索关键词: | 一种 多数 格式 高速 并行 nandflash 存储 装置 | ||
【主权项】:
1.一种多数据格式高速并行NandFlash存储装置,其特征在于,包括载荷数据处理通道、芯片控制通道和NandFlash芯片或基片,每一载荷数据处理通道处理一种数据格式的载荷数据;所述载荷数据处理通道包括有效载荷接口模块、数据组帧模块和存储页地址管理及索引模块;所述芯片控制通道包括优先级控制模块和NandFlash通道控制模块;所述有效载荷接口模块,用于接收载荷数据;所述数据组帧模块,用于对所述载荷数据进行组帧,并在其内置页缓冲中的数据量达到设定的阈值时,向存储页地址管理及索引模块发送存储请求信号;所述存储页地址管理及索引模块,预先设定其所属的载荷数据处理通道对应的存储空间,在接收到所述存储请求信号时,更新当前存储页地址,并根据其将存储请求信号索引至对应的优先级控制模块;优先级控制模块,当自身状态为闲时,响应所述存储请求信号,对数据组帧模块页缓冲中的数据进行编程缓冲后,向NandFlash通道控制模块发送编程请求信号;NandFlash通道控制模块,在接收到所述编程请求信号时,控制NandFlash芯片或基片对优先级控制模块中编程缓冲的数据进行编程。
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