[发明专利]使用了自旋交换引起的自旋电流的垂直SOT-MRAM存储器单元在审
| 申请号： | 201910505005.2 | 申请日： | 2019-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN110797060A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | G·米哈伊洛维克;O·莫森兹 | 申请（专利权）人： | 闪迪技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C11/18;H01L43/08 |
| 代理公司： | 11245 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵志刚;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明题为“使用了自旋交换引起的自旋电流的垂直SOT‑MRAM存储器单元”。本发明提供了一种垂直自旋轨道扭矩MRAM存储器单元，其包括磁隧道结，该磁隧道结包括平面内的自由层、铁磁层以及铁磁层和自由层之间的间隔层。自由层包括垂直于平面的可切换的磁化方向。铁磁层被配置为响应于通过铁磁层的电流而生成垂直极化的自旋电流，并将垂直极化的自旋电流通过间隔层注入自由层中以改变自由层的磁化方向。 | ||
| 搜索关键词： | 自由层 铁磁层 自旋电流 垂直极化 磁化方向 磁隧道结 垂直 间隔层 自旋 可切换 平面的 响应 轨道 配置 交换 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：/n磁隧道结，所述磁隧道结包括平面内的自由层，所述自由层包括垂直于所述平面的可切换的磁化方向；/n铁磁层；和/n间隔层，所述间隔层在所述铁磁层和所述自由层之间，所述铁磁层被配置为响应于通过所述铁磁层的电流以生成垂直极化的自旋电流并将所述垂直极化的自旋电流通过所述间隔层注入所述自由层中以改变所述自由层的所述磁化方向。/n
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