[发明专利]复合型碳硅负极基材的制造方法及由该制造方法所制成的复合型碳硅负极基体有效
| 申请号： | 201910505503.7 | 申请日： | 2019-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN112086624B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 赖鸿政;林正崧;张曾隆 | 申请（专利权）人： | 芯量科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/62 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 刘龄霞;袁建设 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是一种复合型碳硅负极基材的制造方法及由该制造方法所形成的复合型碳硅负极基体，该复合型碳硅负极基体包括第一阶碳硅球，包括多个石墨烯片、多个纳米级硅与氧化硅的复合单体及多个第一高分子材质；该第一高分子材质作为黏着剂用于连结该多个石墨烯片及该多个纳米级硅与氧化硅的复合单体；其中该多个石墨烯片、该多个纳米级硅与氧化硅的复合单体及该多个第一高分子材质之间形成多个缓冲空隙；第二高分子材质层包覆在该第一阶碳硅球的外部；该第二高分子材质层经过烧结，使得糖类产生碳化，以增加整体复合型碳硅负极基体的结构能力；以及多个纳米碳管紧紧包裹该第二高分子材质层，其具有的紧束作用，使得其内部的该第一阶碳硅球不易膨胀。 | ||
| 搜索关键词： | 复合型 负极 基材 制造 方法 制成 基体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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