[发明专利]一种可变带隙的NbMoTaWV高熵合金氧化物薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201910506035.5 | 申请日： | 2019-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN110195208B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 李晓娜;毕林霞;利助民;王清 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/16;C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所有限公司 21208 | 代理人： | 花向阳 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： |
一种可变带隙的NbMoTaWV高熵合金氧化物薄膜及其制备方法，属半导体材料技术领域。这种薄膜具有如下通式：NbMoTaWV |
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| 搜索关键词： | 一种 可变 nbmotawv 合金 氧化物 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可变带隙的NbMoTaWV高熵合金氧化物薄膜，其特征是：高熵合金氧化物薄膜具有如下通式：NbMoTaWVxOy，x=0~2，y=0.1～7，呈纳米晶或非晶态，该高熵合金氧化物薄膜的带隙宽度在0.5～2eV区间、硬度在7～17Gpa区间、电阻率在50～1×107 ![]()
区间内可调；高熵合金氧化物薄膜从导体会过渡到半导体。
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