[发明专利]MEMS器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910506678.X | 申请日： | 2019-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN112079326A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 王科;李天慧;曾伟雄 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MEMS器件结构及其制备方法，MEMS器件结构包括：基底，基底内形成有释放腔室；支撑结构，位于基底的上表面，且位于释放腔室外围；膜层结构，位于基底的上方，与基底的上表面具有间距；膜层结构横跨释放腔室，且固定于支撑结构上；背极板，位于膜层结构上，且背极板的下表面与膜层结构的上表面具有间距；背极板横跨释放腔室，且固定于支撑结构上；背极板与膜层结构上下错位排布；导气孔，位于背极板内，且沿背极板的厚度方向贯穿背极板；侧壁保护层，覆盖导气孔的侧壁；抗粘接凸块，位于背极板的下方。本发明的MEMS器件结构通过在背极板与膜层结构之间设置抗粘接凸块，可以避免膜层结构与背极板相粘贴，确保MEMS器件结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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