[发明专利]金属硅化物的缺陷检测方法及半导体结构的形成方法

摘要

本发明提供了一种金属硅化物的缺陷检测方法及半导体结构的形成方法，包括提供衬底及覆盖部分衬底的金属硅化物层，然后在衬底上形成介质层，介质层覆盖衬底及金属硅化物层并露出金属硅化物层的表面，以使金属硅化物层以外的区域均绝缘，然后采用电子束轰击金属硅化物层，并根据金属硅化物层逸出的二次电子的浓度分布得到金属硅化物层的缺陷状况，从而可以对金属硅化物层的缺陷进行定量的检测，提高了缺陷检测精度，并且，金属硅化物的缺陷检测方法是在半导体结构的形成过程中进行的，能够实时、在线的反应出金属硅化物的缺陷状况，也不会打乱半导体器件的正常制备过程，不会增加额外的工序，能够降低检测的成本和时间。

主权项

1.一种金属硅化物的缺陷检测方法，其特征在于，包括：提供一衬底及覆盖部分所述衬底的金属硅化物层；在所述衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述衬底及所述金属硅化物层并露出所述金属硅化物层的表面；采用电子束轰击所述金属硅化物层，并根据所述金属硅化物层逸出的二次电子的浓度分布得到所述金属硅化物层的缺陷状况。