[发明专利]金属纳米线薄膜及其制备方法以及薄膜晶体管阵列有效
| 申请号： | 201910508412.9 | 申请日： | 2019-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN110364429B | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 夏玉明;卓恩宗 | 申请（专利权）人： | 北海惠科光电技术有限公司;滁州惠科光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;H01L27/12;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 536000 广西壮族自治区北海市工业园区北海大*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种金属纳米线薄膜及其制备方法以及薄膜晶体管阵列。其中，所述金属纳米线薄膜的制备方法包括以下步骤：以铝基板为基材，采用阳极氧化法制备多孔阳极氧化铝模板；以所述多孔阳极氧化铝模板为阴极，惰性电极为阳极，于含金属离子的电化学沉积液中进行电化学沉积，得到沉积有金属纳米线的氧化铝模板，并采用模板去除剂去除氧化铝模板，得到金属纳米线；采用水和醇溶液对所述金属纳米线进行漂洗，并将漂洗后的金属纳米线分散至成膜溶液中，得到膜液；将所述膜液涂覆于基板的表面，退火干燥得到金属纳米线薄膜。本发明的技术方案能够减小金属纳米线薄膜的雾度。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 纳米 薄膜 及其 制备 方法 以及 薄膜晶体管 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种金属纳米线薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属纳米线薄膜的制备方法包括以下步骤：以铝基板为基材，采用阳极氧化法制备多孔阳极氧化铝模板；以所述多孔阳极氧化铝模板为阴极，惰性电极为阳极，于含金属离子的电化学沉积液中进行电化学沉积，得到沉积有金属纳米线的氧化铝模板，并采用模板去除剂去除氧化铝模板，得到金属纳米线；采用水和醇溶液对所述金属纳米线进行漂洗，并将漂洗后的金属纳米线分散至成膜溶液中，得到膜液；将所述膜液涂覆于基板的表面，退火干燥得到金属纳米线薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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