[发明专利]一种氢离子浓度传感器芯片及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201910508807.9 | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN112086519B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 辛倩;袁玉卓;宋爱民 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34;G01N27/26 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 许德山 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于双极性SnO的氢离子浓度传感器芯片及其制备方法与应用，包括衬底、栅极、栅介质层、半导体层、源极、漏极、敏感层；衬底上生长有栅极、栅介质层，栅介质层上生长有半导体层、源极、漏极，半导体层、源极、漏极生长有敏感层。本发明基于双极性SnO的氢离子浓度检测传感器，除了可以像单一n或者p型的氢离子浓度检测传感器使用阈值电压进行检测，还可以使用直接通过测量沟道电流的方式来进行检测。大幅度减少了测试复杂度，且不再受能斯特定律限制。整个测试过程可以工作在低电压下，且具有较低的功耗，其可被广泛应用于柔性可穿戴电子中，解决了现有氢离子浓度传感器大电压，复杂度高等缺点，效果显著，适用于应用推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氢离子 浓度 传感器 芯片 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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