[发明专利]具有高静电防护能力的二极管及其形成方法在审
| 申请号： | 201910509233.7 | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN112086501A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 王黎 | 申请（专利权）人： | 彩优微电子(昆山)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/43;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种具有高静电防护能力的二极管及其形成方法，具有高静电防护能力的二极管包含：具有第一导电类型的硅基底层、形成于硅基底层中的多个第一沟槽与多个第二沟槽、多个浅沟槽隔离结构与具有第二导电类型的多晶硅层。浅沟槽隔离结构分别设置于第一沟槽中以填满第一沟槽。多晶硅层共形地形成于第二沟槽的表面上。本揭露透过使用沟槽结构，并在沟槽结构上形成多晶硅层来做为二极管的电极，以提高二极管自身的电流耐受能力。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 静电 防护 能力 二极管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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