[发明专利]三电压供电功率放大器电路、装置及半导体集成电路有效

专利信息
申请号: 201910509790.9 申请日: 2019-06-13
公开(公告)号: CN110266280B 公开(公告)日: 2023-06-30
发明(设计)人: 任江川;戴若凡 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H03F3/24 分类号: H03F3/24;H04B1/04
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 栾美洁
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及三电压供电功率放大器电路,涉及射频前端集成电路设计,通过使三电压供电功率放大器单元包括三个供电电压,根据输出功率的大小通过不同的供电电压组合改变供电电压的大小,在功率回退区间实现两个效率尖峰,提升平均效率,且三电压供电功率放大器可以实现三电压的切换,实现了功率可调,同时保证不会存在漏电路径以及击穿问题。
搜索关键词: 电压 供电 功率放大器 电路 装置 半导体 集成电路
【主权项】:
1.一种三电压供电功率放大器电路,其特征在于,包括:三电压供电功率放大器,包括:多个三电压供电功率放大器单元,每一三电压供电功率放大器单元包括三个供电电压,多个三电压供电功率放大器单元互相耦接,其中,每一三电压供电功率放大器单元包括由第一P型功率开关管MP1和第二P型功率开关管MP2串联连接构成的第一支路,其中第一P型功率开关管MP1的源端S连接第三电源电压VDD3,第一P型功率开关管MP1的漏端D连接第二P型功率开关管MP2的源端S;由第四N型功率开关管MN4和第四P型功率开关管MP4串联构成的第二支路,其中第四N型功率开关管MN4的漏端D连接第二电源电压VDD2,第四N型功率开关管MN4的源端S连接第四P型功率开关管MP4的源端S,第四P型功率开关管MP4的漏端D连接第二P型功率开关管MP2的漏端D;以及由第五N型功率开关管MN5和第五P型功率开关管MP5串联构成的第三支路,其中第五N型功率开关管MN5的漏端D连接第一电源电压VDD1,第五N型功率开关管MN5的源端S连接第五P型功率开关管MP5的源端S,第五P型功率开关管MP5的漏端D连接第二P型功率开关管MP2的漏端D,更包括第三P型功率开关管MP3、第三N型功率开关管MN3、第二N型功率开关管MN2和第一N型功率开关管MN1,第二P型功率开关管MP2的漏端D连接第三P型功率开关管MP3的源端S,第三P型功率开关管MP3的漏端D连接第三N型功率开关管MN3的漏端D,第三N型功率开关管MN3的源端S连接第二N型功率开关管MN2的漏端D,第二N型功率开关管MN2的源端S连接第一N型功率开关管MN1的漏端D,第一N型功率开关管MN1的源端S接地,第三P型功率开关管MP3与第三N型功率开关管MN3的共节点为三电压供电功率放大器单元的输出端,用于输出一方波信号;多个电容,其中一电容的一端连接一三电压供电功率放大器单元的输出端;一带通匹配网络,多个电容的另一端连接带通匹配网络的一端,带通匹配网络的另一端用于输出三电压供电功率放大器的输出信号;以及控制单元,连接三电压供电功率放大器,用于控制每一三电压供电功率放大器单元的供电电压。
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