[发明专利]阳极结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910509975.X | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN112086574A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 蒋春萍;李玉雄;刘峰峰;林雨;隋展鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56;H01L51/54 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种阳极结构及其制备方法，其中，所述阳极结构应用于顶发射OLED微显示器件，于Si衬底上，自下而上依次包括：第一层反射提高层，用于提高所述阳极结构的反射率；第二层扩散阻挡层，用于阻挡所述第一层反射提高层的扩散；以及，第三层匹配层，用于匹配空穴注入层的最高被占据分子轨道。通过所述阳极结构及其制备方法，可以使顶发射OLED微显示器件的阳极结构具有高反射率、高功函数以及低电阻的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 阳极 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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