[发明专利]一种碳布生长V5.45

摘要

本发明公开了一种碳布上生长V5.45S8单晶纳米片的制备方法及其应用，包括以下步骤：五氧化二钒和草酸添加到蒸馏水中，加热条件下搅拌溶液至蓝色澄清，得到草酸钒溶液；将草酸钒溶液与醇类有机溶剂充分混合后，接着加入过氧化氢并搅拌均匀，得到混合溶液；将碳布依次用适量丙酮和浓硝酸活化处理，清洗，干燥，得到活化处理的碳布；将活化处理的碳布，加入到混合溶液中，然后转移至水热釜中，进行水热反应，反应完成后，得到生长了氧化钒前驱体的碳布；将生长了氧化钒前驱体的碳布，清洗干燥，在真空条件下与硫脲进行煅烧，得到碳布上生长V5.45S8单晶纳米片。本发明中采用了碳布作为碳源的复合材料，其价格便宜易得，而且制备V5.45S8的工艺更简单，可有效降低其生产成本。

主权项

1.一种碳布上生长V_5.45S₈单晶纳米片的制备方法，包括以下步骤：1)五氧化二钒和草酸添加到蒸馏水中，加热条件下搅拌溶液至蓝色澄清，得到草酸钒溶液；2)将步骤1)中的草酸钒溶液与醇类有机溶剂充分混合后，接着加入过氧化氢并搅拌均匀，得到混合溶液；3)将商业碳布依次用适量丙酮和浓硝酸活化处理，清洗，干燥，得到活化处理的碳布；4)将步骤3)中活化处理的碳布，加入到步骤2)中的混合溶液中，然后转移至水热釜中，进行水热反应，反应完成后，得到生长了氧化钒前驱体的碳布；5)将步骤4)中生长了氧化钒前驱体的碳布，清洗干燥，在真空条件下与硫脲进行煅烧，得到碳布上生长V_5.45S₈单晶纳米片。