[发明专利]一种抗污染场效应晶体管传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910512421.5 | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110231380A | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 魏大程;杨磊 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30;G01N27/414;G01N27/48 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于传感器技术领域，具体为一种抗污染场效应晶体管传感器及其制备方法。本发明场效应晶体管传感器包括：绝缘衬底；在绝缘衬底上的石墨烯层；在石墨烯层两端的源漏电极；在石墨烯表面生长的共价有机框架材料形成的复合薄膜，作为导电传感沟道层。检测时。将场效应晶体管置于测试溶液中，连接电学测试设备，向溶液中加入检测物，实时检测电流的变化。本发明填补了共价有机框架复合材料在场效应晶体管传感器中应用的空白。这种传感器普适性好，反应装置简单，成本低，具有优异的抗污染性能，能够排除溶液中污染物的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 场效应晶体管 抗污染 共价有机框架 石墨烯层 衬底 绝缘 制备 传感器技术领域 效应晶体管 表面生长 材料形成 测试溶液 电学测试 反应装置 复合薄膜 实时检测 源漏电极 复合材料 沟道层 检测物 普适性 石墨烯 传感 导电 污染物 填补 检测 应用 | ||
【主权项】：
1.一种抗污染场效应晶体管传感器，其特征在于，是基于共价有机框架/石墨烯复合材料的，包括：一绝缘衬底；在绝缘衬底上的石墨烯层；在石墨烯层两端的源漏电极；在石墨烯表面生长的共价有机框架材料形成的复合薄膜，作为导电传感沟道层。
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