[发明专利]一种深槽半导体光探测结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种深槽半导体光探测结构及其制造方法，其中，所述深槽半导体光探测结构包括半导体材料，所述半导体材料为第一导电杂质类型，在所述半导体材料的上表面向下开设欧姆接触掺杂区和多个深槽，所述欧姆接触掺杂区为具有第一导电杂质类型的掺杂区，所述深槽向其槽壁外扩散形成具有第二导电杂质类型的深槽扩散区，深槽扩散区在半导体材料里形成PN结，所述深槽位置形成具有第二导电杂质类型的深槽填充区，所述深槽填充区和深槽扩散区作为光探测电极A，欧姆接触掺杂区作为光探测电极B，本发明可以避免使用价格较贵且不易获得的极低掺杂的高阻半导体材料，并大幅度降低光探测反向偏置电压，降低相关偏置电压电路复杂度和难度。

主权项

1.一种深槽半导体光探测结构，其特征在于，包括半导体材料，所述半导体材料为第一导电杂质类型，在所述半导体材料的上表面向下开设欧姆接触掺杂区和多个深槽，所述欧姆接触掺杂区位于多个深槽之间，所述欧姆接触掺杂区为具有第一导电杂质类型的掺杂区，所述深槽向其槽壁外扩散形成具有第二导电杂质类型的深槽扩散区，深槽扩散区的第二导电杂质类型与半导体材料的第一导电杂质类型是相反导电杂质类型，深槽扩散区在半导体材料里形成PN结，所述深槽位置形成具有第二导电杂质类型的深槽填充区，所述深槽填充区和深槽扩散区作为光探测电极A，欧姆接触掺杂区作为光探测电极B，电极A和电极B施加反向工作电压形成横向耗尽层进行光探测。