[发明专利]一种深槽半导体光探测增益结构

摘要

本发明公开了一种深槽半导体光探测增益结构，其中，所述深槽半导体光探测增益结构包括半导体材料，所述半导体材料为第一导电杂质类型，在所述半导体材料的上表面向下开设多个深槽，所述深槽向其槽壁外扩散形成具有第二导电杂质类型的深槽扩散区，深槽扩散区在半导体材料里形成PN结，所述深槽位置形成具有第二导电杂质类型的深槽填充区，相邻两个深槽中，其中一个深槽作为光探测电极A，另一个深槽作为光探测电极B。通过该技术方案，解决了传统结构需要很高的工作电压、相应较为复杂的驱动电路和很厚的极低掺杂外延层或单晶材料，不便于与低压电信号处理兼容集成的技术问题。