[发明专利]一种三维封装结构及其制造方法在审
申请号: | 201910515568.X | 申请日: | 2019-06-14 |
公开(公告)号: | CN110211931A | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 张凯;耿菲;曹立强 | 申请(专利权)人: | 上海先方半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/13 | 分类号: | H01L23/13;H01L23/367;H01L25/18;H01L21/52 |
代理公司: | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人: | 张东梅 |
地址: | 200000 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种三维封装结构的制造方法,包括:在载片正面制作第一凹槽;将一个或多个第一芯片以背面为接触面贴在第一粘附层上,所述第一芯片的正面裸露有用于后续电连接的第一焊盘;在载片正面制作第一盲孔;在第一盲孔内壁制作第一绝缘层,进行填充形成第一金属导电柱;在第一芯片和载片的正面制作第一重布线层;在载片背面制作第二凹槽;将一个或多个第二芯片以背面为接触面贴在第二粘附层上,所述第二芯片的正面裸露有用于后续电连接的第三焊盘;在载片背面制作第二盲孔,使得第一金属导电柱底部从第二盲孔底部露出至背面;在第二盲孔内壁制作第二绝缘层,进行填充形成第二金属导电柱;以及在载片的背面制作第二重布线层。 | ||
搜索关键词: | 背面 制作 载片 芯片 金属导电柱 盲孔 绝缘层 三维封装结构 盲孔内壁 载片正面 重布线层 电连接 粘附层 焊盘 填充 裸露 制造 | ||
【主权项】:
1.一种三维封装结构的制造方法,包括:在载片正面制作第一凹槽;在第一凹槽底部制作第一粘附层;将一个或多个第一芯片以背面为接触面贴在第一粘附层上,所述第一芯片的正面裸露有用于后续电连接的第一焊盘;在所述第一凹槽内填充第一介质层;在载片正面制作第一盲孔;在第一盲孔内壁制作第一绝缘层,进行填充形成第一金属导电柱;在第一芯片和载片的正面制作第一重布线层;在载片背面制作第二凹槽,所述第二凹槽底部距离第一凹槽的底部特定距离;在第二凹槽底部制作第二粘附层;将一个或多个第二芯片以背面为接触面贴在第二粘附层上,所述第二芯片的正面裸露有用于后续电连接的第三焊盘;在第二凹槽内填充第四介质层;在载片背面制作第二盲孔,使得第一金属导电柱底部从第二盲孔底部露出至背面;在第二盲孔内壁制作第二绝缘层,进行填充形成第二金属导电柱;以及在载片的背面制作第二重布线层。
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