[发明专利]高压半导体介质耐压终端

摘要

本发明提供一种高压半导体介质耐压终端，包括高掺杂半导体材料层、形成于高掺杂半导体材料层上的外延层、外延层顶部部分区域处理后形成的有源器件区，在有源器件区的一侧开设有第一深槽，第一深槽垂直穿过外延层，进入到高掺杂半导体材料层，在第一深槽内的侧壁上形成有第一介质绝缘层，且在第一深槽内填充形成有半绝缘层；在外延层上垂直开设有进入到高掺杂半导体材料层的第二深槽，根据第二深槽与所述有源器件区的位置关系以及第二深槽的横向宽度与外延层的关联性，对高压半导体介质耐压终端进行设计，从而提高高压半导体介质耐压终端的耐压性能。

主权项

1.一种高压半导体介质耐压终端，包括高掺杂半导体材料层、形成于所述高掺杂半导体材料层上的外延层、所述外延层顶部部分区域处理后形成的有源器件区、所述有源器件区顶端形成的电极，在所述有源器件区的一侧开设有第一深槽，所述第一深槽垂直穿过所述外延层，进入到所述高掺杂半导体材料层，在所述第一深槽内的侧壁上形成有第一介质绝缘层，且在所述第一深槽内填充形成有半绝缘层；其特征在于：在所述外延层上垂直开设有进入到所述高掺杂半导体材料层的第二深槽，根据所述第二深槽与所述有源器件区的位置关系以及所述第二深槽的横向宽度与所述外延层的关联性，对所述高压半导体介质耐压终端进行设计，从而提高所述高压半导体介质耐压终端的耐压性能；所述第二深槽与所述第一深槽开设在所述有源器件区的同一侧，在所述有源器件区的另一侧开设有第三深槽，所述第三深槽垂直穿过所述外延层，进入到所述高掺杂半导体材料层，在所述第三深槽内的侧壁上形成有第一介质绝缘层，且在所述第三深槽内填充形成有半绝缘层；在所述第一深槽与所述第二深槽之间的外延层上形成有PN结耐压区，所述PN结耐压区的横向宽度小于所述有源器件区的横向宽度，所述第二深槽内填充形成有第二介质绝缘层，所述电极与所述有源器件区、半绝缘层和PN结耐压区电连接；所述PN结耐压区是与外延层相反导电杂质类型，并起到承受反向耐压等效PN结的作用，或者是能起到承受反向耐压的肖特基区域。