[发明专利]存储装置和形成存储装置的方法有效
| 申请号： | 201910517985.8 | 申请日： | 2019-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN110610733B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 藤原英弘;林志宇;赵威丞;潘显裕;陈炎辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 可以提供存储器宏系统。存储器宏系统可以包括第一段、第二段、第一WL和第二WL。第一段可以包括多个第一存储单元。第二段可以包括多个第二存储单元。第一段可以定位在第二段上方。第一WL可以对应于第一段，并且第二WL可以对应于第二段。第一WL和第二WL可以被配置为在一个循环中被激活。本发明的实施例还涉及存储装置和形成存储装置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储装置，包括：/n第一段，包括多个第一存储单元；/n第二段，包括多个第二存储单元，其中，所述第一段定位在所述第二段上方；/n第一字线(WL)，对应于所述第一段；以及/n第二字线，对应于所述第二段，其中，所述第一字线和所述第二字线被配置为在一个循环中被激活。/n
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