[发明专利]一种图像传感器及其制作方法在审
| 申请号： | 201910519278.2 | 申请日： | 2019-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN110211983A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 蒋亚伟;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体制造领域，具体地涉及一种图像传感器及其制作方法。所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有感光元件和浮置扩散区，所述半导体衬底表面形成有传输栅结构，用于控制光电荷从所述感光元件到所述浮置扩散区的传输；氧化层，位于所述半导体衬底表面；导电膜，位于所述氧化层表面，所述导电膜的位置部分对应于所述感光元件。当图像传感器工作时，在所述导电膜上外接负电压，将空穴吸引在与所述导电膜位置对应的半导体衬底表面处形成空穴积累层，使之无法影响光电子的运行，减小暗电流，从而达到提高图像传感器量子效率的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 导电膜 半导体衬底表面 感光元件 浮置扩散区 衬底 半导体 半导体制造领域 空穴 氧化层表面 空穴积累 量子效率 暗电流 传输栅 负电压 光电荷 氧化层 光电子 减小 外接 制作 传输 申请 吸引 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有感光元件和浮置扩散区，所述半导体衬底表面形成有传输栅结构，用于控制光电荷从所述感光元件到所述浮置扩散区的传输；氧化层，位于所述半导体衬底表面；导电膜，位于所述氧化层表面，所述导电膜的位置部分对应于所述感光元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
