[发明专利]一种单轴高冲击加速度传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201910519350.1 | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN112093771A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 任政;苏刚;王红战 | 申请（专利权）人： | 芜湖天波光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00;G01P15/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及传感器技术领域，具体是一种单轴高冲击加速度传感器及其制造方法，所述单轴高冲击加速度传感器包括有SOI晶圆衬底、硅梁和惯性质量块，所述SOI晶圆衬底设置有方形槽，所述SOI晶圆衬底上设置有惠斯通电桥，所述惠斯通电桥的桥臂上设置有制作在硅梁上的应变电阻，本发明体积小、灵敏度高、可以承受高载荷，SOI晶圆衬底中间带有氧化层，拓宽单轴高冲击加速度传感器使用的温度范围；解决传统制备工艺PN结因高温而导致器件失效问题，一种单轴高冲击加速度传感器及其制造方法，采用反应离子刻蚀机对压阻区进行光刻，解决现有离子注入方式会产生侧向效应拓宽压阻区面积的问题，采用SOI衬底能够提高单轴高冲击加速度传感器使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单轴高 冲击 加速度 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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