[发明专利]半导体存储器设备在审
| 申请号： | 201910520336.3 | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN110689911A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 赵槿汇;朴乘汉;金孝真;安国一 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;H01L27/11;H01L27/108 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 贾洪菠 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 半导体存储器设备包括：存储器单元阵列，包括存储器单元；行解码器，其通过第一导线连接到存储器单元阵列；写入驱动器和读出放大器，其通过第二导线连接到存储器单元阵列；电压发生器，用于向行解码器供应第一电压，并向写入驱动器和读出放大器供应第二电压；和数据缓冲器，其连接到写入驱动器和读出放大器，并且在写入驱动器和读出放大器与外部设备之间传输数据。行解码器、写入驱动器和读出放大器、电压发生器和数据缓冲器中的至少一个包括用于放大电压的第一铁电电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 读出放大器 写入驱动器 存储器单元阵列 行解码器 电压发生器 数据缓冲器 导线连接 外部设备 半导体存储器 存储器单元 铁电电容器 传输数据 放大 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器设备，包括：/n存储器单元阵列，包括存储器单元；/n行解码器，其通过第一导线连接到存储器单元阵列；/n写入驱动器和读出放大器，其通过第二导线连接到存储器单元阵列；/n电压发生器，用于向行解码器供应第一电压，并向写入驱动器和读出放大器供应第二电压；和/n数据缓冲器，其连接到写入驱动器和读出放大器，所述数据缓冲器用于在写入驱动器和读出放大器与外部设备之间传输数据，/n其中行解码器、写入驱动器和读出放大器、电压发生器和数据缓冲器中的至少一个包括用于放大电压的第一铁电电容器。/n
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