[发明专利]一种激光发射器及其发射方法在审

专利信息
申请号: 201910520649.9 申请日: 2019-06-17
公开(公告)号: CN110212405A 公开(公告)日: 2019-09-06
发明(设计)人: 郁麒麟 申请(专利权)人: 江苏天宁光子科技有限公司;郁麒麟
主分类号: H01S5/042 分类号: H01S5/042;G01S7/481;G01S17/10
代理公司: 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 代理人: 周全
地址: 225000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种激光发射器及其发射方法。本发明涉及一种激光发射器及其激光发射方法,特别涉及一种具有发射高功率、高频率、亚纳秒宽度脉冲激光的激光发射器及其激光发射方法。提供了一种高功率高频率高精度激光测距传感器的激光发射器及其发射方法,特别是能够发射激光亚纳秒脉冲的激光发射器及其发射亚纳秒激光脉冲的方法。所述第一电子开关的高端与直流稳压电源连接,所述第一电子开关的低端与所述第二电子开关的高端连接;所述第二电子开关的低端接地;本发明提供了一种高功率高频率高精度激光测距传感器的激光发射器及其发射方法,特别是能够发射激光亚纳秒脉冲的激光发射器及其发射亚纳秒激光脉冲的方法。
搜索关键词: 激光发射器 发射 电子开关 高功率 高频率 测距传感器 高精度激光 激光 激光发射 激光脉冲 纳秒脉冲 低端 高端 直流稳压电源 宽度脉冲 接地
【主权项】:
1.一种激光发射器,其特征在于,包括半导体激光二级管、第一电子开关、第二电子开关、储能电容器、偏置电路和开关驱动器;所述第一电子开关的高端与直流稳压电源VA连接,所述第一电子开关的低端与所述第二电子开关的高端连接;所述第二电子开关的低端接地;所述偏置电路的高端与直流稳压电源VB连接,所述偏置电路的低端与所述储能电容器的高端连接,所述储能电容器的低端接地;所述半导体激光二级管的阳极连接至所述偏置电路与储能电容器之间;所述半导体激光二级管的阴极连接至所述第一电子开关与第二电子开关之间;所述开关驱动器分别与所述第一电子开关的控制端和第二电子开关的控制端连接。
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