[发明专利]一种基于氧化铝介质的微波/射频薄膜电容器的制备方法有效
| 申请号： | 201910521252.1 | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN110349749B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 陆旭兵;杨慧 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/10;H01G4/00;H01G13/00 |
| 代理公司： | 广州正明知识产权代理事务所(普通合伙) 44572 | 代理人： | 鄂艳涛 |
| 地址： | 510000 广东省广州市番禺区广州大*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于电容器技术领域，具体公开了一种基于氧化铝介质的微波/射频薄膜电容器的制备方法，包括：S1.通过臭氧利用原子层沉积在重掺硅上生长厚度分别为25~100 nm的氧化铝，前驱体为三甲基铝，生长温度是80‑300℃；臭氧流量为30~50 ml/min；S2.采用程序退火进行处理，退火程序分为升温阶段、保温阶段、降温阶段；S3.组装得到电容器。本发明的电容器具有较高的击穿电压、较小的漏电流、较大的介电常数（接近理论值）和较低的介电损耗（≤5%）。本发明的电容器结构简单，生产的工艺流程也比较容易实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化铝 介质 微波 射频 薄膜 电容器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于氧化铝介质的微波/射频薄膜电容器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.通过臭氧利用原子层沉积在衬底上生长厚度分别为25 ~100 nm的氧化铝，前驱体为三甲基铝，生长温度是80‑300℃；臭氧流量为30~50 ml/min；S2.采用程序退火进行处理，退火程序分为升温阶段、保温阶段、降温阶段，其中升温阶段是每180 s进行阶梯升温，阶梯升温的温度点为100℃、200℃、250℃、300℃，前三个温度阶段保温时间为100 s，当温度达到300℃时，保温时间为3600s，而后是降温阶段，降温阶段与升温阶段的温度相反，保温时间一致，得到氧化铝薄膜；S3.组装电容器：顶电极电极采用圆点电极，在氧化铝薄膜上面先热蒸镀生长5 nm的镍电极，然后在热蒸镀生长40 nm的金电极。
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