[发明专利]一种钙钛矿半导体的光电化学池在审
申请号: | 201910521344.X | 申请日: | 2019-06-17 |
公开(公告)号: | CN110323521A | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 朱瑞;涂用广;杨晓宇;罗德映;龚旗煌 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01M14/00 | 分类号: | H01M14/00 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人: | 李稚婷 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公布了一种钙钛矿半导体的光电化学池。这种光电化学池包括液态或准固态的电解质,以及插入电解质中的光阳极和光阴极,其中所述光阳极为透明电极,其上沉积有钙钛矿半导体薄膜。通过开发含有离子化合物的液态或准固态电解质,实现钙钛矿半导体材料在液态或准固态电解质中的稳定存在,从而通过光电化学反应实现将太阳能转化为电能的目的,获得稳定工作的光电化学池。本发明提供的光电化学池制备方法简单、设备要求低。 | ||
搜索关键词: | 光电化学池 钙钛矿 准固态电解质 电解质 半导体 半导体材料 化学反应 半导体薄膜 离子化合物 太阳能转化 设备要求 透明电极 光阳极 光阴极 准固态 沉积 制备 开发 | ||
【主权项】:
1.一种光电化学池,包括液态或准固态的电解质,以及插入电解质中的光阳极和光阴极,其中所述光阳极为透明电极,其上沉积有钙钛矿半导体薄膜。
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