[发明专利]一种钙钛矿半导体的光电化学池在审

专利信息
申请号: 201910521344.X 申请日: 2019-06-17
公开(公告)号: CN110323521A 公开(公告)日: 2019-10-11
发明(设计)人: 朱瑞;涂用广;杨晓宇;罗德映;龚旗煌 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01M14/00 分类号: H01M14/00
代理公司: 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 代理人: 李稚婷
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公布了一种钙钛矿半导体的光电化学池。这种光电化学池包括液态或准固态的电解质,以及插入电解质中的光阳极和光阴极,其中所述光阳极为透明电极,其上沉积有钙钛矿半导体薄膜。通过开发含有离子化合物的液态或准固态电解质,实现钙钛矿半导体材料在液态或准固态电解质中的稳定存在,从而通过光电化学反应实现将太阳能转化为电能的目的,获得稳定工作的光电化学池。本发明提供的光电化学池制备方法简单、设备要求低。
搜索关键词: 光电化学池 钙钛矿 准固态电解质 电解质 半导体 半导体材料 化学反应 半导体薄膜 离子化合物 太阳能转化 设备要求 透明电极 光阳极 光阴极 准固态 沉积 制备 开发
【主权项】:
1.一种光电化学池,包括液态或准固态的电解质,以及插入电解质中的光阳极和光阴极,其中所述光阳极为透明电极,其上沉积有钙钛矿半导体薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学,未经北京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910521344.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code