[发明专利]一种柔性压阻式应力传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910521359.6 | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN110228789A | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 何鑫;沈耿哲;刘志豪;杨为家;张弛;陈柏桦;梁天龙;赵思柔 | 申请（专利权）人： | 五邑大学 |
| 主分类号： | B81B7/04 | 分类号： | B81B7/04;B81C1/00;G01L1/22 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 黄琳娟 |
| 地址： | 529000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种柔性压阻式应力传感器，由第一PDMS微结构衬底、Ag纳米线/PEDOT:PSS导电层、第二PDMS微结构衬底和导线组成，所述第一PDMS微结构衬底和第二PDMS微结构衬底包夹住Ag纳米线/PEDOT:PSS导电层。本发明制备的柔性压阻式应力传感器，方法简单、易操作、可以批量化生产；柔性压阻式应力传感器前体薄膜具有良好的耐弯折性能：弯曲1000次，电阻只降低5％，具有可拉伸、可按压等力学性能，适用于制备柔性传感器等电子元器件。 | ||
| 搜索关键词： | 应力传感器 微结构 压阻式 衬底 制备 导电层 纳米线 按压 电子元器件 耐弯折性能 柔性传感器 力学性能 前体薄膜 批量化 包夹 电阻 拉伸 生产 | ||
【主权项】：
1.一种柔性压阻式应力传感器，其特征在于，由第一PDMS微结构衬底、Ag纳米线/PEDOT:PSS导电层、第二PDMS微结构衬底和导线组成，所述第一PDMS微结构衬底和第二PDMS微结构衬底包夹住Ag纳米线/PEDOT:PSS导电层。
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