[发明专利]基于垂直狭缝结构的环境温度无关氮化硅微环滤波芯片有效
| 申请号： | 201910521721.X | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN110261958B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 冯吉军;刘晓腾;张福领;曾和平 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 柏子雵 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于垂直狭缝结构的环境温度无关氮化硅微环滤波芯片，包括镀在硅衬底上的缓冲层及芯层，其特征在于，芯层为由两个氮化硅微环中间夹着一个二氧化硅微环组成的垂直狭缝型的微环谐振腔，氮化硅微环波导及二氧化硅微环波导均由环形波导和直波导组成；芯层由涂敷在缓冲层上的负热光系数外包层包裹。本发明的特别之处在于它的垂直狭缝结构，与此同时结合负热光系数外包层，可实现滤波的温度无关特性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 垂直 狭缝 结构 环境温度 无关 氮化 硅微环 滤波 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种基于垂直狭缝结构的环境温度无关氮化硅微环滤波芯片，包括镀在硅衬底上的缓冲层及芯层，其特征在于，芯层为由两个氮化硅微环中间夹着一个二氧化硅微环组成的垂直狭缝型的微环谐振腔，氮化硅微环波导及二氧化硅微环波导均由环形波导和直波导组成；芯层由涂敷在缓冲层上的负热光系数外包层包裹。
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