[发明专利]用于苛刻介质的半导体器件有效
| 申请号： | 201910521798.7 | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN110610933B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | A·J·范德维尔 | 申请（专利权）人： | 迈来芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/48;H01L21/768;H01L23/528;H01L23/532;H01L23/538 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 黄嵩泉;张鑫 |
| 地址： | 比利时*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件(100)，包括：第一和第二掺杂半导体层(112,122)，其中第一层(112)是单晶硅层，并且第二层(122)是多晶硅层；氧化物层(127)，覆盖第一和第二层(112,122)；以及互连，其电连接第一与第二层(112,122)，该互连包括金属合金(124)，该金属合金(124)具有与第一层(112)接触的第一部分和与第二层(122)接触的第二部分，其中第一部分和第二部分之间的金属合金的一部分跨越第二层(122)的侧壁(133)；至少一个电子组件(115)形成在第一层和/或第二层(112,122)中；此外，半导体器件包括化学计量钝化层(128)，其覆盖第一和第二层(112,122)和氧化物层(127)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 苛刻 介质 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件(100)，包括：/n第一掺杂半导体层(112)；第二掺杂半导体层(122)；氧化物层(127)，所述氧化物层(127)覆盖所述第一掺杂半导体层(112)和所述第二掺杂半导体层(122)，其中所述第一掺杂半导体层(112)是单晶硅层，并且其中所述第二掺杂半导体层(122)是多晶硅层，/n其中至少一个电子组件(115)在所述第一和/或所述第二半导体层(112,122)中形成，/n所述半导体器件还包括至少一个互连，其中所述第一掺杂半导体层(112)通过互连与所述第二掺杂半导体层(122)电连接，其特征在于，所述互连包括金属合金(124)，所述金属合金(124)具有与所述第一掺杂半导体层接触的第一部分以及与所述第二掺杂半导体层接触的第二部分，并且其中所述第一部分和所述第二部分之间的金属合金的一部分跨越所述第二掺杂半导体层(122)的侧壁(133)，/n并且其特征在于，所述半导体器件还包括化学计量钝化层(128)，所述化学计量钝化层覆盖所述第一和所述第二掺杂半导体层(112,122)和所述氧化物层(127)。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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