[发明专利]flip chip型VCSEL芯片及其制造方法

摘要

本发明涉及激光芯片技术领域，尤其涉及flip chip型VCSEL芯片及其制造方法，该VCSEL芯片包括由上至下设置的衬底、外延片，衬底上蚀刻有出光孔，外延片生长在衬底底面，外延片包括依次层叠设置的第一型反射层、量子阱、限制层和第二型反射层，第二型反射层、限制层、量子阱的侧壁被蚀刻至第一型反射层表面形成台柱，台柱上包覆有SiNx层，SiNx层在第二型反射层上成型有孔一，SiNx层的相对两侧分别生长有N‑contact和P‑contact，P‑contact和N‑contact相对设置成型有孔二，P‑contact和N‑contact的表面蒸镀有Sn层。N‑contact的材料包括但不限于AuGe、Au，P‑contact的材料包括但不限于Ti、Pt、Au。本发明的VCSEL芯片的散热路径无需通过衬底，可实现高效散热，达到热电分离的状态，从而提高了饱和电流，提高了功率效率及斜率效率。

主权项

1.flip chip型VCSEL芯片，其特征在于，包括由上至下设置的衬底、外延片，所述衬底上蚀刻有出光孔，所述外延片生长在衬底底面，所述外延片包括依次层叠设置的第一型反射层、量子阱、限制层和第二型反射层，所述第二型反射层、限制层、量子阱的侧壁被蚀刻至第一型反射层表面形成台柱，所述台柱的侧壁及所述台柱背离衬底的一面上均包覆有SiN_x层，所述SiN_x层在第二型反射层上成型有孔一，所述SiN_x层的相对两侧分别生长有N‑contact和P‑contact，所述P‑contact和N‑contact相对设置且之间设置有孔二，所述P‑contact和N‑contact的表面蒸镀有Sn层。