[发明专利]弹性波装置以及高频前端电路有效
申请号: | 201910524037.7 | 申请日: | 2019-06-17 |
公开(公告)号: | CN110620562B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 岩本英树 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 赵琳琳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种弹性波装置及高频前端电路,使在比主模靠高频侧产生的高阶模降低。弹性波装置(1)具备压电体层(2)、IDT电极(3)、高声速支承基板(5)及低声速膜(4)。高声速支承基板在压电体层的厚度方向上夹着压电体层位于与IDT电极相反侧。低声速膜在厚度方向上设置在高声速支承基板与压电体层之间。高声速支承基板具有基底区域(51)和表面区域(52)。表面区域在厚度方向上设置在比基底区域靠低声速膜侧。表面区域具有第一层(53)和第二层(54)。第二层在厚度方向上设置在比第一层靠基底区域侧。高声速支承基板的基底区域的结晶性比表面区域的结晶性好。第二层的结晶性比第一层的结晶性好。 | ||
搜索关键词: | 弹性 装置 以及 高频 前端 电路 | ||
【主权项】:
1.一种弹性波装置,具备:/n压电体层;/nIDT电极,直接或间接地设置在所述压电体层上;/n高声速支承基板,在所述压电体层的厚度方向上夹着所述压电体层位于与所述IDT电极相反侧,传播的体波的声速与在所述压电体层传播的体波的声速相比为高速;以及/n低声速膜,在所述厚度方向上设置在所述高声速支承基板与所述压电体层之间,传播的体波的声速与在所述压电体层传播的体波的声速相比为低速,/n所述高声速支承基板具有:/n基底区域;以及/n表面区域,在所述厚度方向上设置在比所述基底区域靠所述低声速膜侧,/n所述表面区域具有:/n第一层;以及/n第二层,在所述厚度方向上设置在比所述第一层靠所述基底区域侧,/n所述高声速支承基板的所述基底区域的结晶性比所述表面区域的结晶性好,/n所述第二层的结晶性比所述第一层的结晶性好。/n
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