[发明专利]基于ZnO/CdS与CdTe量子点双信号光电传感器的构建方法在审
| 申请号： | 201910524391.X | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN110243887A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 颜梅;苗培;张晶;王建荣;王平;于京华 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26;G01N27/327 |
| 代理公司： | 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业) 37240 | 代理人： | 李茜 |
| 地址： | 250022 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于ZnO/CdS与CdTe量子点双信号光电传感器的构建方法，首先合成了具有良好光电化学信号的花状ZnO结构，该结构有大的比表面积，能够在负载更多的检测物；又在花状ZnO上负载了CdS，形成了异质结结构，因为能级的匹配进一步增加光电化学信号；另外在二抗上面不仅修饰了CdTe量子点并且标记了碱性磷酸酶，CdTe作为信号载体进行信号放大，利用CdTe量子点与ZnO/CdS的匹配能级，进一步的降低了检测线碱性磷酸酶原位产生抗坏血酸供电子，可以进一步提高光电流响应。 | ||
| 搜索关键词： | 能级 光电传感器 碱性磷酸酶 光电化学 构建 花状 匹配 光电流响应 异质结结构 抗坏血酸 信号载体 原位产生 检测物 检测线 二抗 修饰 合成 供电 | ||
【主权项】：
1.基于ZnO/CdS与CdTe量子点双信号光电传感器的构建方法，其特征包括以下步骤：（1）合成ZnO纳米片；（2）构建ITO/ZnO电极；（3）构建ITO/ZnO/CdS电极；（4）合成CdTe量子点；（5）合成二抗‑CdTe量子点‑碱性磷酸酶（Ab2‑CdTe‑ALP）复合物；（6）双信号光电传感器（PEC）的构建。
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