[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910525869.0 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN110660802A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 卢昶佑;马在亨;裴东一 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/10 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 尹淑梅;刘美华 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件，所述半导体器件可以包括：第一沟道，位于基底的第一区域上，并且在与基底的上表面基本垂直的竖直方向上彼此间隔开；第二沟道，位于基底的第二区域上，并且在竖直方向上彼此间隔开；第一栅极结构，位于基底的第一区域上，并且覆盖第一沟道中的每个的表面的至少一部分；以及第二栅极结构，位于基底的第二区域上，并且覆盖第二沟道中的每个的表面的至少一部分。第二沟道可以设置在与第一沟道中对应的第一沟道的高度基本相同的高度处，第二沟道中的最下面的第二沟道的高度可以比第一沟道中的最下面的第一沟道的高度高。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 基底 半导体器件 第二区域 第一区域 栅极结构 竖直 垂直的 上表面 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：/n基底，包括第一区域和与第一区域相邻或与第一区域间隔开的第二区域；/n第一沟道，设置在基底的第一区域上，第一沟道在与基底的上表面基本垂直的竖直方向上彼此间隔开；/n第二沟道，设置在基底的第二区域上，第二沟道在竖直方向上彼此间隔开；/n第一栅极结构，设置在基底的第一区域上，第一栅极结构覆盖第一沟道中的每个的表面的至少一部分；以及/n第二栅极结构，设置在基底的第二区域上，第二栅极结构覆盖第二沟道中的每个的表面的至少一部分，/n其中，第二沟道设置在与第一沟道中对应的第一沟道的高度基本相同的高度处，第二沟道中的最下面的第二沟道的高度比第一沟道中的最下面的第一沟道的高度高。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
