[发明专利]多层拓扑绝缘体结构的反射克尔极化偏转的计算方法有效
| 申请号： | 201910525896.8 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN110232250B | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 曾然;钱秀秀;张猛;倪鹏飞;杨淑娜;胡淼;毕美华;李齐良 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F17/12;G06F17/16 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于光学技术领域，具体涉及多层拓扑绝缘体结构的反射克尔极化偏转的计算方法，包括以下步骤：S1、建立多层拓扑绝缘体结构的模型；S2、确定拓扑绝缘体的电磁特性；S3、确定电磁波在分界面上的边界条件；S4、计算多层拓扑绝缘体结构的传输矩阵；S5、计算多层拓扑绝缘体结构的反射系数；S6、计算所述模型下反射电磁波的克尔极化偏转。本发明通过传输矩阵法计算了多层拓扑绝缘体结构的反射电磁波的克尔极化偏转效应，能够准确地分析多层拓扑绝缘体结构的反射电磁波的克尔极化偏转特性；本发明能够准确地反映出入射角、材料的介电常数、拓扑绝缘体表面的磁化方向以及拓扑绝缘体层数等影响因素下反射电磁波的克尔极化偏转效应。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 拓扑 绝缘体 结构 反射 克尔 极化 偏转 计算方法 | ||
【主权项】：
1.多层拓扑绝缘体结构的反射克尔极化偏转的计算方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、建立多层拓扑绝缘体结构的模型；S2、确定拓扑绝缘体的电磁特性；S3、确定电磁波在分界面上的边界条件；S4、计算多层拓扑绝缘体结构的传输矩阵；S5、计算多层拓扑绝缘体结构的反射系数；S6、计算所述模型下反射电磁波的克尔极化偏转。
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