[发明专利]一种高线性度的低噪声放大器在审

专利信息
申请号: 201910526423.X 申请日: 2019-06-18
公开(公告)号: CN110149096A 公开(公告)日: 2019-08-20
发明(设计)人: 董震震;甘业兵;罗彦彬;刘启;乐建连 申请(专利权)人: 杭州中科微电子有限公司
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26;H03F1/32;H03F1/02;H03F3/68
代理公司: 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 代理人: 郑立
地址: 310053 浙江省杭州市高新*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种高线性度的低噪声放大器电路,涉及射频CMOS集成电路领域,包括主放大器电路、辅助放大器电路以及cascode电路,其中,主放大器电路包括第一NMOS晶体管、第一电容、第一电阻、第一电感、第一偏置电压和第一接地点,辅助放大器电路包括PMOS晶体管、第三电容、第四电容、第三电感、第四电感和第二接地点,cascode电路包括第二NMOS晶体管、第二电容、第五电容、第二电阻、第三电阻、第二电感、第二偏置电压、第三偏置电压、第三接地点、电源电压,所述cascode电路通过导线连接所述主放大器电路和所述辅助放大器电路,所述主放大器电路通过导线连接所述辅助放大器电路。在低功耗低偏置的条件下提高低噪声放大器的线性度。
搜索关键词: 电容 辅助放大器电路 电感 主放大器电路 偏置电压 接地点 电阻 低噪声放大器 电路 导线连接 高线性度 低噪声放大器电路 电源电压 低功耗 线性度 偏置 射频
【主权项】:
1.一种高线性度的低噪声放大器电路,其特征在于,包括主放大器电路、辅助放大器电路以及cascode电路,其中,所述主放大器电路包括第一NMOS晶体管、第一电容、第一电阻、第一电感、第一偏置电压和第一接地点,所述辅助放大器电路包括PMOS晶体管、第三电容、第四电容、第三电感、第四电感和第二接地点,所述cascode电路包括第二NMOS晶体管、第二电容、第五电容、第二电阻、第三电阻、第二电感、第二偏置电压、第三偏置电压、第三接地点、电源电压,所述cascode电路通过导线连接所述主放大器电路和所述辅助放大器电路,所述主放大器电路通过导线连接所述辅助放大器电路。
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