[发明专利]晶体管器件在审
| 申请号： | 201910526459.8 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN110620138A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | C.M.博杨恰努;L.陈;S.索辛;A.C.G.伍德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L27/088 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘茜璐;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 公开了一种晶体管器件。晶体管器件包括：半导体主体（100）；源极导体（21），在半导体主体（100）顶部上；源极夹（31），在源极导体（21）顶部上并且电连接到源极导体（21）；第一有源器件区（110），布置在半导体主体（100）中，被源极导体（21）和源极夹（31）覆盖，并包括至少一个器件单元（10）；和第二有源器件区（120），布置在半导体主体（100）中，被源极夹（31）未覆盖的源极导体（21）的区域覆盖并且包括至少一个器件单元（10、10'）。第一有源器件区（110）具有第一面积特定导通电阻，并且第二有源器件区（120）具有第二面积特定导通电阻，其中第二面积特定导通电阻大于第一面积特定导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 源极导体 半导体主体 导通电阻 源器件 源极 晶体管器件 器件单元 区域覆盖 电连接 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管器件，包括：/n半导体主体（100）；/n源极导体（21），在半导体主体（100）顶部上；/n源极夹（31），在源极导体（21）顶部上并且电连接到源极导体（21）；/n第一有源器件区（110），布置在半导体主体（100）中，被源极导体（21）和源极夹（31）覆盖，并包括至少一个器件单元（10）；和/n第二有源器件区（120），布置在半导体主体（100）中，被源极夹（31）未覆盖的源极导体（21）的区域覆盖并且包括至少一个器件单元（10、10'），/n其中第一有源器件区（110）具有第一面积特定导通电阻，/n其中第二有源器件区（120）具有第二面积特定导通电阻，并且/n其中第二面积特定导通电阻大于第一面积特定导通电阻。/n
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