[发明专利]一种GNSS掩星电离层残差修正方法、系统、设备及存储介质有效

专利信息
申请号: 201910527078.1 申请日: 2019-06-18
公开(公告)号: CN110275184B 公开(公告)日: 2021-01-08
发明(设计)人: 柳聪亮;孙越强;杜起飞;白伟华;王先毅;蔡跃荣;孟祥广;夏俊明;王冬伟;李伟;吴春俊;刘成;赵丹阳 申请(专利权)人: 中国科学院国家空间科学中心
主分类号: G01S19/07 分类号: G01S19/07;G01W1/00
代理公司: 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 代理人: 陈琳琳;杨青
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种GNSS掩星电离层残差修正方法、系统设备及存储介质,所述方法包括:对GNSS掩星原始观测数据、vTEC maps数据和地磁场观测数据进行预处理,得到GNSS掩星几何数据、电离层数据和地磁场数据;基于GNSS掩星几何数据、三维NeUoG电离层模式和电离层数据,计算“入射线”和“出射线”侧电离层穿刺点位置处的电子密度廓线;基于GNSS掩星几何数据、IGRF地磁场模式和地磁场数据,计算“入射线”和“出射线”侧电离层穿刺点位置处的沿信号路径的地磁场强度廓线;基于电子密度及沿信号路径的地磁场强度计算弯曲角电离层残差廓线。本发明的方法可用于单个GNSS掩星事件大气参数反演中,削弱电离层残差的影响,得到较高精度的GNSS掩星弯曲角廓线,高效可靠。
搜索关键词: 一种 gnss 电离层 修正 方法 系统 设备 存储 介质
【主权项】:
1.一种GNSS掩星电离层残差修正方法,所述方法包括:对GNSS掩星原始观测数据、vTEC maps数据和地磁场观测数据进行预处理,得到GNSS掩星几何数据、电离层数据和地磁场数据;基于GNSS掩星几何数据、三维NeUoG电离层模式和电离层数据,计算“入射线”和“出射线”侧电离层穿刺点位置处的电子密度廓线;基于GNSS掩星几何数据、IGRF地磁场模式和地磁场数据,计算“入射线”和“出射线”侧电离层穿刺点位置处的沿信号路径的地磁场强度廓线;基于电子密度及沿信号路径的地磁场强度计算弯曲角电离层残差廓线。
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