[发明专利]含输出电流补偿支路的升压型变换器在审
申请号: | 201910527609.7 | 申请日: | 2019-06-18 |
公开(公告)号: | CN110176860A | 公开(公告)日: | 2019-08-27 |
发明(设计)人: | 陈怡;张聚;杜树旺 | 申请(专利权)人: | 浙江工业大学之江学院 |
主分类号: | H02M3/156 | 分类号: | H02M3/156;H02M1/14 |
代理公司: | 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 | 代理人: | 王利强 |
地址: | 312030 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种含输出电流补偿支路的升压型变换器,包括电感L1、N沟道MOS管M1、二极管D1、电容Co、输出电流补偿支路和控制器,所述输出电流补偿支路中,当N沟道MOS管M1截止时,通过其端口a从电感L1处分流一部分电流用于能量存储;当N沟道MOS管M1导通时,通过其端口b释放能量,为电容Co和负载RL提供电流;所述控制器采用软开关控制器,通过其端口g控制N沟道MOS管M1的开关状态,通过其端口c控制输出电流补偿支路能量存储或释放的工作状态。本发明具有低输出电压纹波和高效率的特点。 | ||
搜索关键词: | 补偿支路 输出电流 控制器 电感 升压型变换器 能量存储 电容 低输出电压 二极管 开关状态 释放 高效率 软开关 导通 纹波 截止 分流 | ||
【主权项】:
1.一种含输出电流补偿支路的升压型变换器,其特征在于:所述含输出电流补偿支路的升压型变换器包括电感L1、N沟道MOS管M1、二极管D1、电容Co、输出电流补偿支路和控制器,所述电流补偿支路具有端口a、端口b和端口c,所述控制器具有端口g和端口c,直流电源Vi的正端与电感L1的一端相连,电感L1的另一端同时与N沟道MOS管M1的漏极、输出电流补偿支路的端口a以及二极管D1的阳极相连,二极管D1的阴极同时与输出电流补偿支路的端口b、电容Co的一端以及负载RL的一端相连,负载RL的另一端同时与电容Co的另一端、N沟道MOS管M1的源极以及直流电源Vi的负端相连,输出电流补偿支路的端口c与控制器的端口c相连,控制器的端口g与N沟道MOS管M1的栅极相连;所述输出电流补偿支路中,当N沟道MOS管M1截止时,通过其端口a从电感L1处分流一部分电流用于能量存储;当N沟道MOS管M1导通时,通过其端口b释放能量,为电容Co和负载RL提供电流;所述控制器中,通过其端口g控制N沟道MOS管M1的开关状态,通过其端口c控制输出电流补偿支路能量存储或释放的工作状态。
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