[发明专利]一种大角度低漂移滤光片的磁控溅射镀膜方法

摘要

本发明提供一种偏移范围小、识别精度高、生产能耗低、生产效率高的大角度低漂移滤光片的磁控溅射镀膜方法，本发明采用滚筒式双腔溅射镀膜机，内腔为溅射腔，外腔为装卸腔，大气压下，将基片装入装卸腔的镀膜机滚筒上，镀膜面朝外；抽气，当溅射腔和装卸腔的真空达到9.0*10^‑3Pa～8.0*10^‑3Pa时，基片随镀膜机滚筒进入溅射腔；当溅射腔真空达到8.0*10^‑5Pa～2.0*10^‑5Pa时，打开溅射源，通入氩气，同时打开离子源，通入氢气、氮气，在基片上形成氮掺杂氢化非晶硅层(α‑Si:H)N₂；打开溅射源，通入氩气，同时打开离子源，通入氧气，在基片上形成氧化硅层；依次反应，形成氮掺杂氢化非晶硅与氧化硅的交替叠层结构；最后在蒸发镀膜机上，在工件反面，镀相应波长的长波通。

主权项

1.一种大角度低漂移滤光片的磁控溅射镀膜方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一，采用滚筒式双腔溅射镀膜机，内腔为溅射腔(1)，外腔为装卸腔(2)，大气压下，将基片装入装卸腔(1)的镀膜机滚筒(5)上，镀膜面朝外；步骤二，抽气，当溅射腔(1)和装卸腔(2)的真空达到9.0*10^‑3Pa～8.0*10^‑3Pa时，基片随镀膜机滚筒(5)进入溅射腔(1)；步骤三，当溅射腔(1)真空达到8.0*10^‑5Pa～2.0*10^‑5Pa时，打开溅射源(3)，通入氩气(9)，同时打开离子源(2)，通入氢气(6)、氮气(8)，在基片上形成氮掺杂氢化非晶硅层(α‑Si:H)N₂；步骤四，打开溅射源(3)，通入氩气(9)，同时打开离子源(2)，通入氧气(7)，在基片上形成氧化硅层；步骤五，重复步骤三和步骤四，形成氮掺杂氢化非晶硅(α‑Si:H)N₂与氧化硅的交替叠层结构；步骤六，在蒸发镀膜机上，在工件反面，镀相应波长的长波通。