[发明专利]一种去除晶圆背面氮化硅薄膜的方法在审
| 申请号： | 201910530015.1 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110246761A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 刘哲郡;黄然;徐莹;周维 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种去除晶圆背面氮化硅薄膜的方法，包括：提供硅片，在所述硅片正面生长栅氧层；在所述栅氧层上沉积多晶硅栅；在所述硅片正面和背面同时生长氮化硅薄膜，所述硅片正面的氮化硅薄膜覆盖所述栅氧层和所述多晶硅栅的侧壁，以及覆盖所述多晶硅栅的顶部；在所述硅片正面沉积APF薄膜，覆盖所述多晶硅栅和所述栅氧层；去除硅片背面的氮化硅薄膜；去除硅片正面的APF薄膜。本发明在不损伤晶圆正面图形的情况下去除晶背氮化硅薄膜，从而避免晶背氮化硅膜对快速热退火工艺中测温和热处理过程的影响，有效降低晶圆内和晶圆间的不均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化硅薄膜 硅片正面 多晶硅栅 栅氧层 去除 晶圆背面 硅片 晶背 晶圆 沉积 薄膜 覆盖 快速热退火 温和热处理 不均匀性 氮化硅膜 晶圆正面 生长 侧壁 背面 损伤 | ||
【主权项】：
1.一种去除晶圆背面氮化硅薄膜的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：步骤一、提供硅片，在所述硅片正面生长栅氧层；步骤二、在所述栅氧层上沉积多晶硅栅；步骤三、在所述硅片正面和背面同时生长氮化硅薄膜，所述硅片正面的氮化硅薄膜覆盖所述栅氧层和所述多晶硅栅的侧壁，以及覆盖所述多晶硅栅的顶部；步骤四、在所述硅片正面沉积APF薄膜，覆盖所述多晶硅栅和所述栅氧层；步骤五、去除硅片背面的氮化硅薄膜；步骤六、去除硅片正面的APF薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
