[发明专利]含氟导电膜在审
| 申请号： | 201910530050.3 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN110265295A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | T·E·布隆贝格;L·林德罗斯;H·霍特 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/768;C23C16/34;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 董志勇 |
| 地址： | 荷兰，*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的名称是含氟导电膜。用于在基底上沉积含氟薄膜的原子层沉积(ALD)方法可以包括多个超循环。每个超循环可以包括金属氟化物子循环和还原子循环。金属氟化物子循环可以包括使基底与金属氟化物接触。还原子循环可以包括交替地和连续地使基底与还原剂和氮反应物接触。 | ||
| 搜索关键词： | 金属氟化物 基底 导电膜 子循环 含氟 原子层沉积 氮反应物 含氟薄膜 还原剂 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种包括TiF3且具有小于106μΩcm的电阻率的导电连续氟化物薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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